Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD90N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD90N03
PJD90N03_L2_00001 Hakkında
PJD90N03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 20A sürekli drenaj akımı (Ta), 90A (Tc) ve 2.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamaları için tasarlanmıştır. ±20V kapı gerilim toleransı ve 35nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarına olanak tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4305 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok