Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD8NA65A_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD8NA65A
PJD8NA65A_L2_00001 Hakkında
PJD8NA65A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 7.5A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı anahtarlamalar sağlar. 29nC gate charge ve 1245pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren devrelere uygundur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 140W güç tüketebilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli ve esnek kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1245 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok