Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD8NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD8NA50
PJD8NA50_R2_00001 Hakkında
PJD8NA50_R2_00001, PANJIT üretimi 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 8A sürekli drain akımı kapasitesi ve 900mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltaj aralığında çalışan bu FET, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor kontrol, invertör ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 826 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok