Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD8NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD8NA50
PJD8NA50_L2_00001 Hakkında
PANJIT PJD8NA50_L2_00001, 500V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 900mOhm RDS(on) değeri ve 16.2nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 826 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok