Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD85N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD85N03
PJD85N03_L2_00001 Hakkında
PJD85N03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. Maksimum 16A drain akımı (Ta), 85A drain akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 3.8mOhm on-resistance (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. Gate Charge 23nC ve Input Capacitance 2436pF özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 2W (Ta) / 58W (Tc) güç yayınlama kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2436 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok