Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJD85N03-AU_L2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PJD85N03

PJD85N03-AU_L2_000A1 Hakkında

PJD85N03-AU_L2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD paket içinde sunulan bu bileşen, 16A (Ta) / 85A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3.8mOhm (10V, 20A) RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge 23nC ile hızlı anahtarlama performansı ve düşük güç tüketimi sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor sürücü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2436 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok