Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD80N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD80N04
PJD80N04_L2_00001 Hakkında
PJD80N04_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) kasa türünde gelen bu bileşen, 80A'ye kadar drain akımı (Tc), 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (25nC @ 4.5V) karakteristiği ile yüksek anahtarlama hızı gerektiren uygulamalara uygundur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2.5V threshold voltajı ile kontrol devreleri tasarımını kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok