Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD80N04-AU_L2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD80N04-AU
PJD80N04-AU_L2_000A1 Hakkında
PJD80N04-AU_L2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 14A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 5.5mΩ (10V, 20A) maksimum Rds(On) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 2.4W (Ta) güç tüketimi karakteristiğine sahip olan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V Vgs toleransı ile geniş kullanım alanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 79.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok