Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD80N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD80N03
PJD80N03_L2_00001 Hakkında
PJD80N03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 15A sürekli dren akımı (Ta) ve 80A (Tc) ile yüksek akım kapasitesine sahiptir. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük kayıp işlemler için uygundur. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 55W güç dağıtma kapasitesi onu endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1323 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok