Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD7NA65_R2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD7NA65
PJD7NA65_R2_00001 Hakkında
PJD7NA65_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi işlevleri gerçekleştirir. 7A sürekli dren akımı kapasitesi, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (16.8 nC) ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanım için uygundur. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrolü ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 754 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok