Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD7NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD7NA65
PJD7NA65_L2_00001 Hakkında
PJD7NA65_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, 7A sürekli dren akımı ve 1.5Ω maksimum on-direnci ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürücüler, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. 16.8nC gate charge ve 754pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 140W güç dağıtım kapasitesi sayesinde talep gören uygulamalar için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 754 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok