Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD7NA60_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD7NA60
PJD7NA60_R2_00001 Hakkında
PJD7NA60_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. ±30V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunar. TO-252 (DPak) yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 723 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok