Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD70P03_L2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD70P03
PJD70P03_L2_00001 Hakkında
PJD70P03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli dren akımı (Ta), 70A (Tc) kapasitesi ve 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek anahtarlama hızı gerektiren uygulamalarda kullanılır. Gate Charge değeri 27nC olup, 4.5V ve 10V sürücü gerilimi seçenekleri mevcuttur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri ve AC/DC dönüştürücüler gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3228 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok