Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJD6NA70_L2_00001

700V N-CHANNEL MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PJD6NA70

PJD6NA70_L2_00001 Hakkında

PJD6NA70_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistördür. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 6A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. ±30V gate gerilimi toleransı ve 16.5nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel enerji dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatör devreleri gibi yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 831 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok