Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD6N10A_L2_00001
100V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD6N10A
PJD6N10A_L2_00001 Hakkında
PJD6N10A_L2_00001, PANJIT üretimi 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) surface mount pakajında sunulan bu bileşen, maksimum 6A dren akımı kapasitesiyle düşük sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 310mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, DC/DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve genel anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. 9.1nC gate charge ve 508pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta), 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 508 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok