Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD60R980E_L2_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD60R980E
PJD60R980E_L2_00001 Hakkında
PJD60R980E_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel Super Junction MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 980mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 58W güç dağılım kabiliyeti ile güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Gate şarj değeri 14.4nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı ve 4V eşik gerilimi ile kontrol devreleriyle kolay entegrasyonu destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok