Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD60R620E_L2_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD60R620E
PJD60R620E_L2_00001 Hakkında
PJD60R620E_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel Super Junction MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.2A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 620mΩ maksimum RDS(on) değeriyle, anahtarlama güç kaynakları, AC-DC adaptörleri, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2W (Ta) / 78W (Tc) güç tüketebilir. 4V eşik voltajı ve 21nC kapı yükü ile düşük sürücü gereksinimlerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta), 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 457 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok