Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD5P10A_L2_00001
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD5P10A
PJD5P10A_L2_00001 Hakkında
PJD5P10A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.3A sürekli drenaj akımı (Ta), 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Gate charge 8nC ve input capacitance 448pF ile hızlı komütasyon özelliklerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil işlem yapabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve analog anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta), 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 448 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok