Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD5NA80_L2_00001
800V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD5NA80
PJD5NA80_L2_00001 Hakkında
PJD5NA80_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama ve yönetim görevlerinde kullanılır. 2.7Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde, endüstriyel sistemlerde ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir çalışma gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok