Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJD5NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PJD5NA50

PJD5NA50_L2_00001 Hakkında

PANJIT PJD5NA50_L2_00001, 500V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 1.55Ω maksimum RDS(on) değeri ile elektrik sistemlerinde güç anahtarlaması ve kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 11nC olup, 10V sürücü geriliminde çalışır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 76W güç tüketme kapasitesine sahiptir. İçerik kontrolü, SMPS, motor kontrolü ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 491 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok