Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD55N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD55N03
PJD55N03_L2_00001 Hakkında
PJD55N03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 DPak gövdesinde sunulan bu bileşen, 10.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı, 2.5V threshold voltajı ve geniş -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığı ile güç dönüştürücüler, motor kontrolü, LED sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Düşük kaptan gecikmesi ve hızlı komütasyon özelliği ile yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 763 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok