Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD50N10AL_L2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD50N10AL
PJD50N10AL_L2_00001 Hakkında
PJD50N10AL, 100V drain-source voltaj ile çalışan N-channel enhancement mode MOSFET transistörüdür. 6.3A sürekli drain akımı (Ta) ve 42A (Tc) kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan komponent, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve yük yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 83W (Tc) maksimum güç dağılımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1485 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok