Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD50N10AL-AU_L2_000A1
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD50N10AL
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Hakkında
PJD50N10AL-AU_L2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, 6.3A sürekli drenaj akımı (Ta'da) ve 42A (Tc'de) kapasitesine sahiptir. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve dc-dc dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V Vgs toleransı ve 2.5V kapı eşik voltajı ile hızlı ve güvenilir komütasyon sağlar. 29nC gate charge değeri enerji-verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1485 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok