Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD4NA70_L2_00001
700V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD4NA70
PJD4NA70_L2_00001 Hakkında
PJD4NA70_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görür. 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan transistör, 2.8Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±30V gate voltaj toleransı ve 10.5nC gate yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 77W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve profesyonel seviye devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 514 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok