Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD4NA65H_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD4NA65H
PJD4NA65H_L2_00001 Hakkında
PJD4NA65H_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 3.75Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sunar. 16.1 nC gate charge ve 423 pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±30V gate voltaj aralığı geniş sürücü uyumluluğu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.75Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok