Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD4NA65_R2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD4NA65
PJD4NA65_R2_00001 Hakkında
650V N-Channel MOSFET, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir Power MOSFET transistörüdür. 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile AC/DC konverterler, switching güç kaynakları, endüstriyel kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (2.7Ω @ 2A, 10V) ile enerji verimliliğini artırır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 10V drive voltajı ile kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 463 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok