Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD4NA65
PJD4NA65_L2_00001 Hakkında
PJD4NA65_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli drenaj akımı ve 2.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. ±30V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenilir performans sağlar. 77W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 11.4nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Yüksek gerilim uygulaları, güç kaynakları, adaptörler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 463 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok