Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD4NA60_L2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD4NA60
PJD4NA60_L2_00001 Hakkında
PJD4NA60_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 4A sürekli drain akımı ve 2.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltajı aralığında çalışan bu transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 77W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek yükü barındıran şebekelerde çalışmaya elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok