Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD4NA50A_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD4NA50A
PJD4NA50A_L2_00001 Hakkında
PJD4NA50A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4A sürekli dren akımı kapasitesi ve 2.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük enerji kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilebilir. 78W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Gate charge değeri 9.8nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 449 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok