Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD45N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD45N06A
PJD45N06A_L2_00001 Hakkında
PJD45N06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 45A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu FET, maksimum 12mOhm on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C arası sıcaklık koşullarında stabil performans gösterir. 39nC gate charge ve 2256pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğini destekler. 63W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2256 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok