Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD45N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD45N03
PJD45N03_L2_00001 Hakkında
PANJIT PJD45N03_L2_00001, 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde üretilen bu bileşen, 10A sürekli drain akımı (Ta), 45A drain akımı (Tc) ile tasarlanmıştır. 12mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate threshold voltajı 2.5V olup, ±20V maksimum gate-source voltajında çalışabilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanıma uygun olan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 2W (Ta) ile 40W (Tc) arasında güç yayılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok