Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD40N15_L2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD40N15
PJD40N15_L2_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PJD40N15_L2_00001, 150V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 5A (Ta) / 40A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile 10V kapı geriliminde düşük iletim kayıpları sağlar. 52nC gate charge ve 2207pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj kontrol cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2W (Ta) / 131W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2207 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 131W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok