Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJD40N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PJD40N06A

PJD40N06A_L2_00001 Hakkında

PANJIT PJD40N06A, 60V drain-source voltajında çalışabilen N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 40A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. Maksimum 17mOhm on-state resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paket formatında sunulan bu transistör, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1574 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok