Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD40N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD40N04
PJD40N04_L2_00001 Hakkında
PANJIT PJD40N04_L2_00001, 40V drain-source voltajında çalışan N-channel enhancement mode MOSFET transistördür. 10A sürekli dren akımı (Ta), 40A pulse akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde sunulur. Anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılan genel amaçlı MOSFET transistördür. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1040 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok