Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD3NA80_L2_00001
800V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD3NA80
PJD3NA80_L2_00001 Hakkında
PJD3NA80_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 3A sürekli dren akımı ve 4.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 10V gate sürücü voltajında çalışan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, adaptörler, motor kontrol devreleri ve offline AC/DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. 80W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 406 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok