Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD3NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD3NA50
PJD3NA50_L2_00001 Hakkında
PJD3NA50_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, AC/DC konverterleri, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 34W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok