Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD35P03_L2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD35P03
PJD35P03_L2_00001 Hakkında
PJD35P03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 8.4A sürekli dren akımı ve maksimum 19mOhm Rds(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, güç anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 11nC gate charge ve 1169pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1169 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok