Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD35N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD35N06A
PJD35N06A_L2_00001 Hakkında
PJD35N06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Maksimum 4.7A sürekli dren akımı (Ta) ve 35A (Tc) kapasitesine sahiptir. 21mΩ RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. ±20V gate voltajı aralığında çalışır ve 2.5V threshold voltajı ile hızlı kapanma/açılma özellikleri sunar. TO-252 DPak paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, solenoid kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar ve maksimum 63W güç yayınlayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok