Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD35N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD35N06A
PJD35N06A-AU_L2_000A1 Hakkında
PJD35N06A-AU_L2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V N-channel enhancement mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.7A sürekli dren akımı kapasitesine (Ta) ve 35A (Tc) ile başarılı performans sağlar. 21mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. ±20V gate-source voltaj aralığı ve -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir. PWM kontrol, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok