Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD30N15_L2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD30N15
PJD30N15_L2_00001 Hakkında
PJD30N15_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, düşük on-state direnç (65mOhm @ 5A, 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleriyle dikkat çeker. 3.5A sürekli dren akımı (Ta = 25°C) kapasitesine sahiptir ve ±25V gate voltaj aralığında çalışır. -55°C ile +150°C arası geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, yakıt pompası kontrolü, solenoid sürücüleri ve genel amaçlı DC yükleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1764 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 102W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok