Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD2NA90_L2_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD2NA90
PJD2NA90_L2_00001 Hakkında
PJD2NA90_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. 2A drain akımı ile tasarlanan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. 6.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TO-252 DPak paketinde sunulan bileşen, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 396 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok