Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD2NA60_L2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD2NA60
PJD2NA60_L2_00001 Hakkında
PJD2NA60_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 4.4Ω RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) işletim yapabilir. ±30V gate voltajı toleransı ile harita, anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 34W maksimum güç disipasyonu ve 5.7nC gate yükü özellikleri ile anahtarlama hızı gerektiren DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 257 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok