Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD2NA1K_L2_00001
1000V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD2NA1K
PJD2NA1K_L2_00001 Hakkında
PJD2NA1K_L2_00001, PANJIT üretimi 1000V N-Channel MOSFET transistördür. 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 9Ohm maksimum Rds(On) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Gate eşik gerilimi 4V olup, ±30V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Endüstriyel invertörler, anahtarlama kaynakları, motor kontrolü ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok