Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD25N10A_L2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD25N10A
PJD25N10A_L2_00001 Hakkında
PJD25N10A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 4.4A sürekli drain akımı ve 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 61nC gate charge ve 3601pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği ile geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. Güç yönetimi, motorlu uygulamalar, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3601 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok