Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD25N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD25N06A
PJD25N06A_L2_00001 Hakkında
PJD25N06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, 5.5A sürekli drain akımı (Ta), 25A drain akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 34mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 20nC @ 10V, threshold voltajı 2.5V @ 250µA olarak tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaktadır. 40W (Tc) maksimum güç dağıtım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1173 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok