Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD25N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD25N04
PJD25N04_L2_00001 Hakkında
PJD25N04_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu komponentin maksimum continuous drain akımı 25°C'de 5.9A, termik ölçümde ise 21A'dir. Vgs(th) değeri 250µA'de 2.5V ile kapı kontrolü kolaylıkla sağlanır. RDS(on) maksimum değeri 10V gate gerilimde 32mOhm olup, 2W (Ta) / 25W (Tc) güç harcamasını destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynağı devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaktadır. Surface Mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, ±20V maksimum Gate-Source gerilimi dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Ta), 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok