Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD25N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD25N03
PJD25N03_L2_00001 Hakkında
PJD25N03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin sürekli dren akımı 7A (Ta) / 25A (Tc) olup, maksimum 25mΩ RdsOn değeri ile düşük kayıp karakteristiği sağlar. Gate kapı voltajı ±20V toleransına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 4.3nC gate charge ve 392pF input capacitance değerleri, hızlı ve verimli komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 392 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok