Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD1NA60B_L2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD1NA60B
PJD1NA60B_L2_00001 Hakkında
PJD1NA60B_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketlemesi ile yüksek yoğunluklu devre tasarımlarına uyum sağlar. 1A sürekli dren akımı kapasitesi ve 10Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletimi destekler. Gate eşik gerilimi 3.5V @ 250µA olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için 6.1nC gate charge değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında 28W güç yayınlayabilir. Endüstriyel kontrol, LED sürücüleri, elektrik şebekesi anahtarlaması ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılan güvenilir bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok