Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD1NA60A_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD1NA60A
PJD1NA60A_R2_00001 Hakkında
PJD1NA60A, 600V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü gerilimiyle maksimum 7.9Ohm RDS(on) değerine ulaşır. Gate eşik gerilimi 4V'tur. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve düşük-orta güç SMPS tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Düşük gate charge (3.1nC) ve input capacitance (148pF) değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 148 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok