Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD1NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD1NA50
PJD1NA50_L2_00001 Hakkında
PJD1NA50_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 1A sürekli drenaj akımı ve 9Ohm RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 25W güç dağıtma kapasitesi ile regülatörler, AC-DC konvertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, düşük kapasite değerleri sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok